원익아이피에스, '세계 최초' 삼성전자 3나노 파운드리 양산 참여

GEMINI 설비 활용 PECVD 방식 개발 신규 공정 적용

ⓒ 원익아이피에스

[프라임경제] 원익아이피에스(원익IPS, 240810)가 PECVD 성장 방식 공정과 멀티패터닝 기술이 적용된 박막 생성 및 저온 기술이 적용된 GAA기술로 3nm 파운드리 제품 양산을 진행하고 출하식을 가졌다고 8일 밝혔다.

 

원익아이피에스 기술이 적용돼 첫 양산된 GAA 3nm 파운드리 제품은 삼성전자에서 진행했으며, GAA를 적용한 3nm 파운드리 제품에 세계 첫 양산을 축하하기 위한 출하식을 개최하기도 했다.   

이번 출하된 제품에는 원익아이피에스의 GEMINI 설비를 활용해 PECVD 방식으로 개발된 신규 공정이 적용됐다. 

신규 개발에 성공한 공정 기술은 EUV 공정 도입에 따라 필요한 △신규 박막을 PECVD 방식으로 성장시키는 기술 △SADP(Self-Align Double Patterning) 방식에 적합한 박막을 생성하는 기술 △저온에서 하드마스크의 고품질을 유지할 수 있는 공정 기술이 적용됐다.

3nm의 파운드리 제품의 세계 첫 양산 진입에 필요한 신규 공정과 장비의 개발에 성공한 원익아이피에스의 이현덕 대표는 출하식에서 "삼성전자의 3나노 GAA 파운드리 공정 양산을 준비하면서 당사의 역량도 강해졌다"며 "국내 반도체 장비 발전을 위해 노력하겠다"고 약속했다.

한편 원익아이피에스는 3nm 공정 안착을 위해 연구 개발을 지속한다는 방침이다.