[프라임경제] 검찰이 중국 기업으로 이직한 후 국가 핵심 기술을 부정하게 사용해 제품을 개발한 혐의를 받는 전직 삼성전자(005930) 직원들을 구속 상태로 재판에 넘겼다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 1일 산업기술보호법 위반 등의 혐의로 전 삼성전자 임원 양모 씨, 전 삼성전자 연구원 권모 씨와 신모 씨 등 3명을 구속 기소했다고 밝혔다.
이들은 중국 창신메모리반도체테크놀로지(CXMT)로 이직한 뒤 삼성전자의 18나노 D램 공정 국가 핵심 기술을 부정 사용해 중국에서 D램을 개발하도록 도운 혐의(산업기술보호법 위반·부정경쟁방지법 위반)를 받는다. CXMT는 중국 지방정부가 2조6000억원을 투자해 설립한 중국 1호 D램 반도체회사다.
유출된 기술은 삼성전자가 1조6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램의 최신 공정 기술이다. D램을 제조하는 수백 단계의 공정 정보가 그대로 적힌 핵심 정보다.
검찰은 이날 기소한 3명이 이 같은 유출 자료를 전달받고, 삼성전자의 실제 제품을 분해해 유출 자료를 검증하고 제조 테스트를 진행하는 등의 방식으로 D램을 개발한 것으로 봤다.
양 씨 등은 삼성전자보다 3~5배 많은 연봉을 받고 CXMT에 합류한 것으로 확인됐다. 연봉 규모는 15억~30억원에 달했다.
앞서 검찰은 삼성전자의 국가 핵심기술 유출 정황을 포착하고 직접수사를 통해 CXMT의 '1기 개발팀'에 참여한 삼성전자 전직 부장 김모 씨와 연구원 출신 전모 씨 등 2명을 각각 구속기소 한 바 있다.
이후 검찰은 추가 수사를 진행해 이후 CXMT '2기 개발팀'의 실장인 양 씨와 공정 개발을 총괄한 신 씨, 실무 총괄을 맡은 권 씨가 1기 개발팀으로부터 유출 자료를 전달받아 삼성전자의 실제 제품을 분해해 검증하고 제조 테스트를 진행하는 방식으로 D램 개발을 도운 사실을 알아냈다.
검찰은 "이 사건으로 발생한 삼성전자의 매출 감소액은 지난해 기준 5조원으로 추정되며 향후 피해 규모는 최소 수십조원까지 불어날 것으로 예상된다"고 밝혔다.
