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SK하이닉스, 세계 최초 '5세대 HBM 12단' 양산…삼성과 격차 벌린다

HBM3E 현존 최고 용량 구현…연내 엔비디아에 공급 예정

이인영 기자 기자  2024.09.26 15:18:18

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[프라임경제] SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 5세대인 HBM3E 12단을 세계 최초로 양산한다. 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 엔비디아에 납품한지 약 6개월 만으로, 이번 12단 제품은 연내 주요 고객사에 공급할 계획이다.


SK하이닉스는 현존 HBM 최대 용량인 36기가바이트(GB)를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다. 

업계에 따르면 HBM3E 12단은 B200A, GB200A 등 엔비디아의 최첨단 고성능 AI 반도체에 들어갈 전망이다. 특히 엔비디아가 AI 칩에 HBM3E 12단 탑재 비중을 확대할 것으로 알려진 만큼 이번 신제품이 SK하이닉스에 효자 역할을 할 것이란 예상이 나온다. 

SK하이닉스는 HBM3E 12단 제품이 AI 메모리에 필수적인 속도, 용량, 안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준이라고 강조했다. 동작 속도는 9.6Gbps로 현존 메모리 최고 속도다. 

특히 AI 학습 훈련에서 속도를 크게 높였다. 이는 이번 신제품 4개를 탑재한 단일 GPU로 메타의 거대언어모델(LLM)인 '라마3 70B'를 구동할 경우 700억개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이라고 SK하이닉스는 설명했다.

SK하이닉스는 두께를 늘리지 않으면서도 12개를 쌓는 데 성공했다고 밝혔다. 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다는 설명이다. D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 실리콘관통전극(TSV) 기술을 활용해 수직으로 쌓은 것이 핵심이다. 

또 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다.

SK하이닉스는 자사 핵심 기술인 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였으며, 휨 현상 제어를 강화해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다고 설명했다.

김주선 SK하이닉스 AI 인프라담당(사장)은 "SK하이닉스는 다시 한번 기술 한계를 돌파하며 시대를 선도하는 독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다"며 "앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 '글로벌 1위 AI 메모리 공급자'로서의 위상을 이어가겠다"고 말했다.

한편 후발주자인 삼성전자(005930)는 지난 2분기 실적 콘퍼런스콜에서 HBM3E 8단 제품을 3분기 내 양산해 공급을 본격화하고, 12단 제품도 하반기에 공급할 예정이라고 밝힌 바 있다.