[프라임경제] 삼성전자가 세계 최초로 D램 공정기술로는 가장 미세한 80나노 공정을 적용한 D램 양산을 개시한다고 13일 밝혔다.
지난 2004년 9월 업계 첫 90나노 D램 양산을 시작한 삼성전자는 불과 1년만에 범용 D램, 그래픽D램, 모바일D램 등 D램 전 제품에 90나노 공정을 성공적으로 도입한 데 이어 이번에 80나노 D램 양산에 돌입함으로써 3세대 연속 최첨단 나노 D램 기술을 주도하게 됐다.
이번 80나노 D램 공정기술은 삼성전자가 2003년 9월에 최초로 개발한 것으로, D램의 '집적도' 및 '데이터 보유특성'을 획기적으로 개선할 수 있는 삼성의 독자 기술인 3차원 트랜지스터 기술(RCAT)이 적용됐다는 회사측의 설명이다.
80나노 공정을 적용하면 현재 주력 공정인 90나노 공정 대비 50% 이상 생산성을 향상시킬 수 있으며, 90나노 공정과도 기술적인 연속성을 유지해 추가 투자를 최소화할 수 있는 장점이 있다.
일반적으로 D램 제조공정에서 '80나노 기술' 이란 D램 셀(Cell)간 데이터 이동 통로 간격의 절반이 80나노라는 것을 의미하며, 공정기술이 미세화하면 할수록 생산량을 증가시킬 수 있기 때문에 업계는 미세 공정기술 개발 및 양산을 위한 사활(사활)을 건 경쟁을 계속하고 있다.
특히 삼성전자는 올 들어 DDR2 수요가 확대되면서 가격 또한 안정화되고 있어 DDR2로 D램 시장 전환을 주도해 온 삼성전자는 한발 앞선 공정 미세화를 통해 DDR3 등 차세대 D램 시장에서도 시장 지배력은 확고히 할 것으로 전망하고 있다.
