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삼성전자는 이달 주요 휴대폰 업체에 샘플 공급을 시작하고 올해 말부터 본격 양산에 돌입할 계획이다.
Ut램은 D램의 셀구조(1 트랜지스터 + 1 캐패시터)를 갖고 있으면서도 S램 기능을 하는 메모리 반도체로 ▲D램의 고집적 ▲S램의 고속·저전력소모 등 D램과 S램의 장점을 모두 갖고 있어 모바일기기 버퍼메모리로(임시기억장치)는 최적의 제품으로 평가받고 있다.
Ut램은 삼성전자의 고유 상품명으로, 업계에서는 일반적으로 슈도 S램(Pseudo SRAM)이라 불리며 각 업체마다 독자 상표명을 갖고 있다.
버퍼메모리는 휴대폰에서 메인 메모리를 보조해 데이터를 임시 저장하는 역할을 담당한다. 이제까지 주로 저전력형 S램이 사용돼 왔지만 셀 구조(트랜지스터 6개) 때문에 칩 사이즈가 크고 용량 확대가 어려워 대용량을 요구하는 차세대 모바일기기에 쓰이는 데는 한계가 있었다.
또 3G 휴대폰 등 첨단 모바일기기가 3D 그래픽을 처리하기 위해서는 128Mb급 이상의 대용량 버퍼메모리가 필수적으로 요구된다.
삼성전자가 이번에 개발한 256Mb Ut램은 이같은 문제를 해결한 것으로, 현재까지 출시된 S램 및 Ut램(S램 72Mb, Ut램 128Mb)을 통틀어 최대 용량이다.
삼성전자는 이 제품이 ▲동작 전압 1.8V의 저전력 ▲기존 제품 대비 1.7배 빨라진 266Mbps의 동작속도 등 초고속형으로, 휴대폰 고성능화를 위한 특성을 두루 갖추고 있다고 설명했다.
이에 따라 최근 휴대폰은 다양한 멀티미디어 기능을 갖춘 정보통합기기로 변모하고 있으며 휴대폰의 대용량 버퍼메모리 채용은 더욱 급물살을 탈 것으로 업계 관계자들은 전망하고 있다.
