[프라임경제] 삼성전자가 세계 최초로 3차원 실리콘관통전극(TSV) 적층 기술을 적용, 최대 용량과 초절전 특성을 동시에 구현한 128GB 서버용(RDIMM) D램 모듈 양산에 들어갔다.
26일 삼성전자에 따르면 TSV 기술은 D램 칩을 일반 종이 절반 두께보다 얇게 깎은 다음 수백개의 미세한 구멍을 뚫은 뒤 상단과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 것이다. 첨단 패키징 기술로 기존 와이어를 이용한 패키지보다 신호 전송 특성이 우수하다.
앞서 삼성전자는 지난해 8월 TSV 기술로 64GB DDR4 D램 모듈 양산에 성공하면서 3차원 D램 시장을 연 바 있다. 이번에 내놓은 128GB TSV D램 모듈은 최대 용량과 초고속, 초절전 등을 모두 충족, 차세대 엔터프라이즈 서버와 데이터 센터 수요를 겨냥할 수 있게 됐다.
삼성전자의 최신 20나노(10억분의 1m) 공정을 적용한 8GB DDR4 D램 칩 총 144개로 구성된다. 64GB D램 모듈에 비해 용량뿐만 아니라 속도도 2배 정도 개선됐다. 전력 소모량은 50% 줄였다. 삼성전자는 연내 TSV 기술을 적용한 128GB DDR4 LRDIMM 제품도 양산에 들어가 'TSV 풀라인업'을 구축한다는 방침이다.
