[프라임경제] 차세대 비휘발성 메모리 소자로 주목받는 그래핀 기반 '저항변화 메모리(RRAM)' 연구에서 우리나라가 기술력 우위를 점할 중요한 연구 결과가 나왔다.
카이스트(KAIST)-울산과학기술원(UNIST) 연구진들이 '그래핀 산화물'을 이용한 메모리 소자가 작동하는 원리를 규명한 것으로 19일 알려졌다.
지금까지는 그래핀 산화물에서 저항 변화가 왜 일어나는지 명확히 밝혀지지 않았는데 작동 원리가 처음으로 밝혀지면서 보다 많은 기술 개발 등 파생 연구의 길이 열릴 것으로 보인다. 이 쾌거는 정후영 UNIST 교수 및 이정용·최성율 KAIST 교수팀의 작품으로 세계적으로도 큰 관심을 모으고 있다.
재료 분야의 저명한 학술지인 '어드밴스드 펑셔널 머티리얼스' 18일자에 연구 결과가 게재됐으며, 속표지 논문으로도 선정됐다.
