[프라임경제] 국내 연구진이 세계 최초로 유무기복합 페로브스카이트(Organic-inorganic hybrid perovskite)를 이용한 비휘발성 메모리 소자 제작에 성공했다.
세종대학교 나노신소재공학과 소속인 최영진 교수팀이 이 같은 쾌거의 주인공. 최 교수팀은 '유무기 복합 페로브스카이트를 이용한 저항변화메모리 소자' 제조 기술을 세계 최초로 개발했다고 27일 세종대는 밝혔다.
또 연구 결과가 국제학술지인 'Advanced Materials' 온라인판에 이번에 표지 논문(Inside Back Cover)으로 선정됐다는 겹경사도 생겼다.
그간 유무기복합 페로브스카이트는 제조상의 용이성 및 독특한 물리적 특성으로 세계 과학계 및 산업계의 주목을 받았다. 태양전지뿐만 아니라 LED, 트랜지스터 등 다양한 전자 소자에 응용될 수 있는 아이템이기 때문. 하지만 기술적 난점으로 메모리 분야, 특히 강력한 차세대 메모리 후보군인 저항변화메모리 분야에 적용된 예는 아직까지 없었다.
최 교수팀은 유무기복합 페로브스카이트를 화학적인 방법으로 제조하고, 이를 기반으로 기존의 저항변화메모리 소자에 버금가는 낮은 동작전압과 높은 재현성을 갖는 메모리 소자를 개발하는 데 성공했다. 동작 특성이 우수한 비휘발성 저항변화 메모리 소자를 제작할 수 있다는 가능성을 연 셈이다.
기존에도 무기물 기반의 페로브스카이트 물질을 이용해 저항변화메모리 소자를 제작한 사례가 있긴 했으나 이 경우 고온·진공의 공정이 필요했다. 유기물 기반 메모리 소자는 저온·화학적 방식 제작이 가능하다는 이점에도 불구하고 높은 동작 전압과 낮은 열 안정성의 단점이 있었다. 그러나 이번 연구 성과로 유무기복합 페로브스카이트를 사용한 저온·화학공정이 가능하다는 새 길이 열렸다.
