SK하이닉스 "차세대 초고속메모리시장 선도할 것"

미국 법인서 '2014 SK하이닉스 HBM 심포지엄' 개최

[프라임경제] SK하이닉스(000660·대표이사 박성욱)는 현지시각으로 18일 산호세에 위치한 미국 법인에서 '2014 SK하이닉스 초고속메모리(HBM) 심포지엄'을 개최했다고 19일 밝혔다. 이번 행사에는 20여개 주요고객·파트너 업체에서 100여명이 참여했다.

SK하이닉스 미국 법인 기술마케팅 담당인 케빈 위드머 상무가 HBM에 대해 설명하고 있다. ⓒ SK하이닉스

이날 강선국 SK하이닉스 미국 법인 기술마케팅 담당(수석)은 "다양한 응용 분야의 고객 및 파트너들과 HBM에 대한 상호 이해를 높일 수 있는 좋은 기회"라며 "협력 관계를 더욱 강화해 차세대 고성능·저전력·고용량 제품인 HBM시장을 선도할 것"이라고 말했다.
 
SK하이닉스는 지난해 말 실리콘관통전극(TSV) 기술을 적용한 HBM을 업계 처음으로 개발하고 올해 상반기 고객들에게 샘플을 전달한 바 있다. 이어 SK하이닉스는 이번 심포지엄을 개최해 중장기 HBM 로드맵을 소개한 것.

이에 따라 SK하이닉스는 다양한 응용 분야 고객들과 HBM 생태계 확대를 위한 협력을 강화할 수 있을 것으로 기대했다.

이번 심포지엄에서는 SK하이닉스 HBM 개발 협력 회사들이 직접 발표자로 참여했다. HBM은 기능성 패키지 기판인 인터포저 위에 시스템온칩(SoC)과 함께 탑재해 한 시스템을 이루는 시스템인패키지(SiP) 형태로 공급된다. 이에 △칩셋 △파운드리 △패키징 △완제품 업체 등 고객·파트너와의 협업이 중요하게 된 것이다.
 
SK하이닉스가 소개한 HBM은 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층한 형태다. 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다. 고사양 그래픽시장 채용을 시발점 삼아 향후 네트워크·슈퍼컴퓨터·서버 등으로 응용 범위가 확장될 전망이다.