SK하이닉스, TSV 기술 기반 초고속메모리 개발

업계 최고속 제품 GDDR5보다 4배 빠른 속도… 전력소비 40%↓

[프라임경제] SK하이닉스(000660·대표이사 박성욱)는 업계 처음으로 실리콘관통전극(TSV) 기술을 적용한 초고속메모리(HBM) 제품을 개발했다고 26일 밝혔다.

이 제품은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)에서 표준화 진행 중인 고성능·저전력·고용량 D램 제품으로, 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리속도를 구현한다. 이에 따라 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다.

SK하이닉스가 개발한 HBM을 SoC와 결합한 SiP 개념도 모습. ⓒ SK하이닉스

특히, 이 제품은 초당 28GB의 데이터를 처리하는 업계 최고속 제품인 GDDR5보다 4배 이상 빠르며 전력소비는 40%가량 낮춘 것이 특징이다.

SK하이닉스에 따르면 해당 제품은 고사양 그래픽시장 채용을 시작으로 향후 슈퍼컴퓨터·네트워크·서버 등에 응용될 전망이다.

SK하이닉스는 이번 HBM 제품에 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층했으며, 기술적 검증을 위해 그래픽분야 선두업체인 AMD과 공동개발을 진행했다.

이를 바탕으로 SK하이닉스는 내년 상반기 중 샘플을 고객들에게 전달하고, 내년 하반기부터 HBM을 본격 양산할 방침이다. SK하이닉스는 HBM을 SoC(System on Chip)와 같이 탑재해 한 시스템을 이루는 SiP(System in Package) 형태로 공급할 예정이다.

SoC는 여러 기능을 가진 시스템을 하나의 칩 속에 집적한 반도체며, Sip는 한 패키지를 여러 개 칩으로 구성해 완전한 시스템을 구현한 것을 뜻한다.

홍성주 SK하이닉스 DRAM개발본부장(전무)는 "TSV 기술을 활용한 HBM 제품의 내년 상용화를 시작으로 제품 포트폴리오를 더욱 강화해 메모리시장에서 주도권을 지속 확보하겠다"고 말했다.