[프라임경제] 어플라이드머티어리얼즈는 12일부터 오는 14일까지 3일간 미국 샌프란시스코에서 개최되는 반도체 산업 전문 전시회인 ‘세미콘 웨스트 2011’에 참가해 차세대 마이크로 칩 제조를 위한 혁신적인 기술을 선보인다고 13일 밝혔다.
어플라이드머티어리얼즈가 이번 전시회에서 소개한 제품들은 고성능 칩 설계 공정이 점차 복잡해짐에 따라 대두되고 있는 주요한 문제점들을 해결하는 데 중점을 둔 혁신 기술을 적용하고 있다. 어플라이드머티어리얼즈만의 독보적인 다중 기술 제품 포트폴리오는 반도체 제조 공정 시간을 단축하는 통합 솔루션을 제공함으로써, 반도체 제조 산업의 새로운 시대를 열 것으로 기대된다.
이번에 선보인 제품은 독보적인 텅스텐 연마 기술을 적용한 ‘리플렉션’, 급속열처리 장비인 ‘밴티지 벌컨’, 차세대 D램 칩의 성능을 향상시키기 위한 ‘센추라 DPN HD’, ‘엔듀라 벌사 XLR PVD’ 및 ‘엔듀라 HAR 코발트 PVD’, 22나노미터(nm) 로직 칩의 모든 필수 게이트 유전체 구조를 진공 상태에서 제조하는 ‘센추라 통합 게이트 스택’, 증착기인 ‘프로듀서 블랙 다이아몬드 3’와 UV 경화기인 ‘프로듀서 나노큐어 3’ 시스템 등 총 8가지이다.
이 중 특히 센추라 통합 게이트 스택, 프로듀서 블랙 다이아몬드 3, 프로듀서 나노큐어 3 시스템은 트랜지스터의 속도를 극대화하고 전력 효율을 높여 고성능 반도체 칩의 수율을 향상시키는 데 핵심이 되는 신제품이다.
22나노미터 로직 칩의 필수 게이트 유전체 구조를 제조하는 센추라 통합 게이트 스택 시스템은 모든 고유전 다층 스택을 하나의 진공 환경에서 처리함으로써 필수 박막 인터페이스의 인테그리티를 보존할 수 있는 유일한 장비이다. 이 시스템은 최첨단 중앙 처리 장치 및 그래픽 칩의 트랜지스터 속도를 극대화하는 동시에 전력 소비를 최소화한다.
완전한 진공 상태에서 보다 정밀한 게이트 스택의 제조를 가능하게 하는 이 독보적인 기술은 트랜지스터의 성능을 저하시키는 원인인 공기 중의 오염 물질을 차단해 트랜지스터의 이동도는 10% 이상 향상시키고 트랜지스터 간의 전압 변화는 40% 이상 감소시킨다.
증착기인 프로듀서 블랙 다이아몬드 3와 UV 경화기인 프로듀서 나노큐어 3 시스템은 22나노미터 또는 그 이하의 노드에서 반도체 논리 소자의 고속·저전력 상호접속을 제조할 수 있는 최신 기술을 적용했다.
프로듀서 블랙 다이아몬드 3의 경우 14나노미터 기술 노드까지 확장이 가능하며, 보다 소형화된 고성능·저전력 장치의 제조를 가능하게 한다. 분자 규모로 설계된 이 시스템은 단일화된 다공성 저유전박막을 제조하며, 이 새로운 박막은 업계를 선도하는 유전율 2.2에 도달한다.
어플라이드머티어리얼즈의 선두적인 UV 경화 기술과 진공 설계 기술을 도입한 프로듀서 나노큐어 3 시스템은 다공성 저유전 박막을 제조하는 장비이다. 보다 강도 높은 UV 원료 및 40% 빠르게 결과물을 내는 저압 경화 과정을 도입한 이 시스템은 종래의 공정에 비해 50% 이상 더 균일한 처리를 가능하게 한다. 프로듀서 블랙 다이아몬드 3와 프로듀서 나노큐어 3을 결합할 경우 보다 유기적인 증착과 경화 두 단계의 공정이 이뤄져 장치 가변성은 줄이고 칩 수율은 높일 수 있다.
어플라이드머티어리얼즈의 CEO 겸 이사회 의장인 마이클 스플린터는 “반도체 업계 최대의 행사인 세미콘 웨스트에서 새로운 칩 설계를 위한 어플라이드머티리얼즈만의 혁신적인 반도체 제조 기술을 선보이게 돼 기쁘다”며 “어플라이드머티리얼즈의 실리콘 시스템 그룹이 개발한 혁신적인 기술은 반도체 제조 기업들이 새로운 원료와 구조를 통합해 고성능 제품을 제조하는 데 핵심적인 역할을 할 것이다”고 말했다.
