[프라임경제] 삼성전자가 세계 최초로 50나노 1기가 D램을 개발해 2008년부터 향후 4년간 550억달러의 시장 형성이 예상되는 50나노 D램 시장을 선점할 수 있게 됐다
50나노 공정은 현재 양산중인 80나노 공정에 비해 3세대 앞선 기술로, 80나노 제품 대비 생산성을 2배 향상시켰다. 지난해 삼성이 세계 최초로 개발한 60나노 공정에 비해서도 생산성이 55% 향상된 최첨단 공정 기술이다.
삼성전자가 이번에 개발한 50나노 1기가 D램은 스피드 특성 및 데이터 저장 능력이 획기적으로 개선됐다는 평이다. 또 D램 제품의 고속·저전력 특성 개선을 실현한 3차원 트랜지스터 구조(SEG)는 저항을 감소시킴으로써 전하 이동속도를 획기적으로 개선시키고, 저전력 구동도 가능케 한 최첨단 공정 기술이다.
삼성전자는 이번 개발로 경쟁사와의 기술격차를 1년 이상 확대하고, 본격 양산이 예상되는 2008년부터 독보적 수익성을 유지할 수 있을 것으로 기대했다.
삼성전자는 50나노 기술의 경우 초고속 동작은 물론 저소비 전력 특성이 강화된 설계 기술로 대용량 PC향 D램, 초고속 동작이 요구되는 그래픽 D램, 저전력과 대용량이 동시에 요구되는 모바일 D램 등 모든 D램에 적용이 가능하다고 설명했다.
삼성전자는 이번 50나노 D램 제품을 오는 2008년 1분기 출시할 예정이다. 50나노급 D램의 시장창출 규모는 도입기인 2008년 50억달러를 시작으로, 2011년까지 누계로는 550억달러에 이를 것으로 삼성전자측은 전망했다.
삼성전자는 현재 50나노 1기가 D램 개발 관련, 신규공정, 제품개발, 디자인 분야를 망라해 총 51건의 특허출원을 한 상태다.
삼성전자 관계자는 "삼성전자의 D램 사업 개시 23년째인 올해 가장 고무적인 일은 삼성전자의 D램이 100억달러 매출을 달성할 것으로 기대된다는 것"이라며 "반도체 단일 제품으로 사상 최초로 100억달러 매출을 달성과 반도체 최대 호황기였던 지난 95년 이후 최고 기록을 경신할 것이라는 측면에서 의미있다"고 말했다.
이 관계자는 "이같은 상황에서 이번 50나노 1기가 D램 개발로 삼성전자는 2008년부터 향후 4년간 550억달러의 시장 형성이 예상되는 50나노 D램 시장을 선점할 수 있게 됐다"고 밝혔다.
